因來自電動車(EV)的需求旺，日本三菱電機(Mitsubishi Electric)將砸千億日圓、蓋新廠，增產碳化矽(SiC)功率半導體，對功率半導體事業的設備投資計畫將倍增。

三菱電機14日宣布，將增產SiC功率半導體，主因EV用需求旺、帶動市場預估將呈現急速成長。三菱電機將投資約1,000億日圓，在熊本縣菊池市的現有工廠廠區內興建新廠房，該座新廠將導入8吋SiC晶圓產線、預計2026年4月啟用生產，三菱電機並將擴增位於熊本縣合志市的工廠的6吋晶圓產能。

日媒指出，藉由上述增產投資，2026年度時、三菱電機SiC晶圓產能將擴增至2022年度的約5倍水準。三菱電機指出，包含上述投資計算，2021-2025年度的5年期間、該公司對功率半導體事業的設備投資計畫合計將達2,600億日圓、投資規模將較原先計劃值(1,300億日圓)倍增。

半導體製造工程可大致分為在矽晶圓上形成電路的「前段製程」和進行組裝、封測等的「後段製程」，而三菱電機上述位於熊本縣的2座據點皆屬於「前段製程」據點。

在「後段製程」部分，三菱電機計劃投資約100億日圓在「Power Device Manufacturer(位於福岡市)」內興建新廠房。日媒報導，根據法國調查公司Yole指出，2021年三菱電機SiC功率半導體全球市佔率排第6，在日廠中、僅次於位居第4位的Rohm。富士電機、東芝也擠進全球前10大之列，龍頭廠為瑞士STMicroelectronics。SiC功率半導體需求旺、2030年估跳增11.8倍日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)公布調查報告指出，因汽車/電子設備需求擴大，預估2030年全球功率半導體市場規模(包含矽製產品和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)將擴增至5兆3,587億日圓、將較2021年增加1.6倍(增加約160%)。

其中，2030年矽製功率半導體市場規模預估將擴大至4兆3,118億日圓、將較2021年增加1.1倍；20300年SiC等次世代功率半導體市場規模預估將達1兆469億日圓、突破兆圓大關、將較2021年暴增12.3倍。

就次世代功率半導體的細項來看，2030年SiC功率半導體市場規模(包含SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組)預估將擴大至9,694億日圓、將較2021年暴增11.8倍；GaN功率半導體市場規模預估將擴大至305億日圓、將較2021年暴增8.5倍；氧化鎵功率半導體市場規模預估將擴大至470億日圓(2022年預估為3億日圓)。

(圖片來源：三菱電機官網)＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。